ГОСТ 34656-2020. Межгосударственный стандарт. Оси колесных пар железнодорожного подвижного состава. Методы неразрушающего контроля
6 Требования к методам неразрушающего контроля чистовых сплошных осей
6.1 Методы НК чистовых сплошных осей
НК чистовых сплошных осей проводят следующими методами:
- ультразвуковым ЗТМ с целью оценки однородности структуры металла;
- ультразвуковым эхо-методом с целью выявления внутренних дефектов;
- визуальным и магнитопорошковым методами с целью выявления поверхностных дефектов.
6.2 УЗК структуры металла чистовых сплошных осей
6.2.1 При УЗК структуры металла чистовых сплошных осей ЗТМ выявлению подлежит неоднородная структура металла, характеристики которой соответствуют 6.2.4.
6.2.2 УЗК структуры металла чистовых сплошных осей ЗТМ проводят по схеме Т2 (рисунок 6.1) продольными волнами с цилиндрической поверхности в радиальном направлении.
Рисунок 6.1 - Схема Т2 и зоны УЗК структуры металла чистовых
сплошных осей
Номинальные значения основных параметров контроля, установленные в соответствии с требованиями ГОСТ 33200, приведены в таблице 6.1.
Таблица 6.1
Номинальные значения основных параметров ЗТМ УЗК структуры
металла чистовых сплошных осей (схема Т2)
Основной параметр контроля | Значение |
Частота ультразвуковых колебаний, МГц | 4,0 - 5,0 |
Угол ввода | 0° |
6.2.3 УЗК структуры металла чистовых осей по схеме Т2 проводят, последовательно выполняя сканирование ПЭП по цилиндрической поверхности вдоль двух образующих оси, расположенных на расстоянии примерно четверть периметра, и оценивая разброс коэффициента затухания ультразвуковых волн в материале оси по разнице между максимальным и минимальным значениями амплитуд донных эхо-сигналов.
При использовании автоматизированных средств контроля допускается сканирование по спиральной траектории, с шагом, заданным в технологической инструкции.
6.2.4 Решение об обнаружении неоднородной структуры металла чистовой сплошной оси принимают в соответствии с требованиями ГОСТ 33200, если разница между максимальным и минимальным значениями амплитуд донных эхо-сигналов в пределах любой части оси (шейка, предподступичная, подступичная и средняя части) вдоль каждой образующей превышает 6 дБ.
6.3 УЗК чистовых сплошных осей на выявление внутренних дефектов
6.3.1 При УЗК чистовых сплошных осей эхо-методом выявлению подлежат внутренние дефекты, расположенные в зонах контроля и имеющие характеристики, соответствующие 6.3.6.
Типы и реальные размеры внутренних дефектов не определяют.
6.3.2 УЗК чистовых сплошных осей эхо-методом проводят по следующим схемам контроля:
- А2 - продольными волнами с цилиндрической поверхности в радиальном направлении (рисунок 6.2);
- А3 - поперечными волнами с цилиндрической поверхности в осевом направлении (рисунок 6.3).
Рисунок 6.2 - Схема А2 и зоны УЗК чистовых сплошных осей
на выявление внутренних дефектов
Рисунок 6.3 - Схема А3 и зоны УЗК чистовых сплошных осей
на выявление внутренних дефектов
Примечание - Прозвучивание зон контроля выполняют с одной или обеих сторон от галтельного перехода.
Номинальные значения основных параметров контроля, установленные в соответствии с требованиями ГОСТ 33200, приведены в таблице 6.2.
Таблица 6.2
Номинальные значения основных параметров эхо-метода УЗК
чистовых сплошных осей (схемы А2 и А3)
Основной параметр контроля | Значение для схемы контроля | |
А2 | А3 | |
Частота ультразвуковых колебаний, МГц | 4,0 - 5,0 | 2,0 - 2,5 |
Угол ввода | 0° | 50° |
Предельная чувствительность SП, мм2 | 19,6; 7,1 <*> | 7,1 |
<*> Применяют для оценки количества выявленных отражателей, условной протяженности выявленного отражателя, условного расстояния между отражателями. | ||
6.3.3 Настройку SП проводят с использованием мер НК с плоскодонными отражателями, залегающими на минимальной, средней и близкой к максимальной глубинам зоны контроля (приложение А, рисунки А.2, А.3), по методике и при пороговом уровне амплитуды, заданных в технологической инструкции на УЗК.
Допускается проводить настройку SП по настроечным образцам, приведенным в технологической инструкции на УЗК и содержащим следующие искусственные дефекты - эталонные отражатели:
- альтернативные эталонные отражатели (например, в виде боковых цилиндрических отражателей), глубины залегания которых равны глубинам залегания отражателей в мерах;
- один альтернативный эталонный отражатель с использованием АРД-диаграмм, построенных по экспериментальным данным, полученным с помощью ПЭП, используемых при УЗК, если методика построения установлена в технологической инструкции.
6.3.4 При УЗК по схеме А2 настройку SП проводят с использованием двух пороговых уровней амплитуды:
- "уровень оценки" - для оценки по амплитуде эхо-сигнала от дефекта (при SП = 19,6 мм2);
- "уровень фиксации" - для оценки по условной протяженности отражателя, по условному расстоянию между отражателями или по количеству выявленных отражателей (при SП = 7,1 мм2).
6.3.5 УЗК чистовых сплошных осей по схемам А2 и А3 проводят путем сканирования ПЭП по траектории, обеспечивающей выявление дефектов в заданных зонах контроля, оценивая характеристики принятых сигналов, заданные в технологической инструкции.
6.3.6 При УЗК эхо-методом решение об обнаружении внутренних дефектов в чистовых сплошных осях принимают в соответствии с требованиями ГОСТ 33200, если:
а) при использовании схемы А2 выявлены эхо-сигналы от отражателей, расположенных в зонах контроля с амплитудой, равной или превышающей "уровень оценки", или
1) условная протяженность хотя бы одного из отражателей, измеренная на "уровне фиксации", равна или более 40 мм, или
2) минимальное условное расстояние между отражателями, измеренное на "уровне фиксации", менее 50 мм, или
3) обнаружено шесть и более отражателей, амплитуды эхо-сигналов от которых равны или превышают "уровень фиксации";
б) при использовании схемы А3 выявлены эхо-сигналы от отражателей, расположенных в зонах контроля, с амплитудой, равной или превышающей заданный пороговый уровень амплитуды.
6.4 НК чистовых сплошных осей на выявление поверхностных дефектов
6.4.1 При НК визуальным методом и магнитопорошковым методом выявлению подлежат поверхностные дефекты согласно 6.4.2.3 и 6.4.3.10.
Допускается применение вихретокового метода, выполняемого автоматизированными средствами контроля, в качестве альтернативного магнитопорошковому методу НК, если методика ВТК соответствует 4.3 и обеспечивает совпадение с результатами МПК на выявление поверхностных дефектов по 6.4.3.
В качестве арбитражного вида (метода) для принятия решения об отсутствии или о наличии дефекта следует использовать МПК.
6.4.2 Визуальный метод НК поверхностей чистовых сплошных осей выполняют в соответствии с требованиями: ГОСТ 33200 - в части обязательности применения и видов дефектов, подлежащих выявлению; ГОСТ 23479 и нормативных документов <1> государств, принявших настоящий стандарт, - в части технологии проведения контроля.
--------------------------------
<1> В Российской Федерации действует ГОСТ Р ЕН 13018-2014 "Контроль визуальный. Общие положения".
6.4.2.1 Требования к условиям проведения визуального метода НК чистовых сплошных осей приведены в таблице 6.3.
Таблица 6.3
Требования к условиям проведения визуального метода НК
чистовых сплошных осей на отсутствие поверхностных дефектов
Характеристика | Значение |
Освещенность поверхности, лк, не менее | 500 |
Расстояние от глаз до поверхности, мм, не более | 600 |
Угол зрения, не менее | 30° |
6.4.2.2 При визуальном методе НК чистовых осей могут быть применены технические средства (зеркала, волоконно-оптические устройства, эндоскопы).
6.4.2.3 Решение об обнаружении поверхностного дефекта принимают, если при визуальном НК в зонах контроля чистовой сплошной оси обнаружены поверхностные дефекты, недопустимые по ГОСТ 33200.
6.4.3 МПК на выявление поверхностных дефектов выполняют на цилиндрических поверхностях и поверхностях галтельных переходов от одних частей чистовых осей к другим.
6.4.3.1 Требования к МПК чистовых осей приведены в таблице 6.4.
Таблица 6.4
Требования к МПК чистовых осей на отсутствие поверхностных
дефектов
Характеристика | Значение |
Тангенциальная составляющая вектора напряженности магнитного поля на контролируемой поверхности, А/м, не менее | 3000 |
Остаточная намагниченность после размагничивания, А/м, не более | 500 |
6.4.3.2 При МПК чистовых осей используют комбинированное или циркулярное и полюсное намагничивание способом приложенного поля по ГОСТ 21105.
6.4.3.3 Для нанесения магнитного индикатора на поверхность объекта контроля применяют способ магнитной суспензии.
Максимальный размер частиц магнитных индикаторов, предназначенных для использования в суспензиях, должен быть не более 60 мкм.
6.4.3.4 Проверку качества магнитных индикаторов выполняют с использованием мер НК или настроечных образцов с искусственными дефектами шириной раскрытия не более 10 мкм (уровень чувствительности "Б" по ГОСТ 21105).
Допускается проверку качества люминесцентных магнитных индикаторов выполнять по образцу типа 1 (приложение Б), соответствующему нормативным документам <1> государств, принявших настоящий стандарт.
--------------------------------
<1> В Российской Федерации действует ГОСТ Р ИСО 9934-2-2011 "Контроль неразрушающий. Магнитопорошковый метод. Часть 2. Дефектоскопические материалы".
Конкретный тип меры НК или настроечного образца указывают в технологической инструкции.
6.4.3.5 При повторном использовании магнитной суспензии проверяют концентрацию магнитной суспензии по методике, указанной в технологической инструкции.
6.4.3.6 Проверку работоспособности дефектоскопа или намагничивающего устройства проводят совместно с проверкой качества магнитных индикаторов по 6.4.3.4 с использованием мер НК или настроечных образцов с искусственными дефектами.
Допускается проверку работоспособности дефектоскопа или намагничивающего устройства проводить путем измерения тангенциальной составляющей вектора напряженности магнитного поля на поверхности детали в области эффективной намагниченности с помощью измерителя напряженности магнитного поля.
6.4.3.7 При применении магнитных индикаторов на основе магнитных порошков естественной окраски или цветных магнитных порошков освещенность контролируемой поверхности при осмотре должна быть не менее 1000 лк. При необходимости, для местного освещения применяют переносные светильники с непрозрачным отражателем, обеспечивающим рассеяние света и защиту глаз от слепящего воздействия источника света.
6.4.3.8 При применении люминесцентных магнитных суспензий используют источники УФ-облучения в диапазоне длин волн от 315 до 400 нм с максимальной интенсивностью излучения на длине волны 365 нм. Интенсивность УФ-облученности контролируемой поверхности должна быть не менее 2000 мкВт/см2, а освещенность видимым светом должна быть не более 20 лк.
Допускается проводить осмотр контролируемой поверхности при условии соблюдения соотношения между освещенностью видимым светом и интенсивностью УФ-облученности контролируемой поверхности, приведенного в таблице 6.5.
Таблица 6.5
Соотношение освещенности видимым светом и интенсивности
УФ-облученности контролируемой поверхности
Освещенность видимым светом, лк | Интенсивность УФ-облученности, мкВт/см2, не менее |
От 20 до 100 включ. | 2500 |
Св. 100 до 200 включ. | 3000 |
6.4.3.9 Допускается при применении люминесцентных магнитных индикаторов использовать источники синего света с максимальной интенсивностью излучения на длине волны от 450 до 455 нм.
При использовании источников синего света осмотр контролируемой поверхности проводят в очках, увеличивающих контраст. При этом освещенность контролируемой поверхности должна быть не более 300 лк.
6.4.3.10 Решение об обнаружении поверхностного дефекта согласно требованиям ГОСТ 33200 принимают, если при МПК чистовой сплошной оси на контролируемой поверхности выявлены скопления магнитного порошка в виде линейного индикаторного рисунка, воспроизводящегося после повторного нанесения магнитного индикатора.
Подписаться на обновления