ГОСТ Р 8.934-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Государственная система обеспечения единства измерений. Национальный стандарт. Стандартные справочные данные. Титанаты стронция и бария. Параметры кристаллической решетки в диапазоне концентраций от 0% ат. до 50% ат. Ва

3 Общие положения

 

В настоящем стандарте приведены результаты определения структурных характеристик материалов на основе соединений титаната стронция (SrTiO₃) и его твердых растворов с соединением титаната бария (BaTiO₃), принадлежащих к окислам со структурой типа перовскита (формула ABX₃), в которых при определенных температурах возникают структурные искажения, сопровождаемые сегнетоэлектрическим переходом.

Многие из этого класса окислов обладают важными электрическими свойствами [сегнетоэлектрики (СЭ), антисегнетоэлектрики (АСЭ), пироэлектрики, полупроводники-сегнетоэлектрики, сверхпроводники], магнитными свойствами (ферромагнетики и др.), а иногда одновременно и электрическими, и магнитными свойствами (сегнето- и антисегнетомагнетики) и пр. Эти свойства, а также простота технологии получения, химическая устойчивость, инертность, негигроскопичность, высокая температура плавления, целенаправленное изменение основных электрофизических параметров в широких диапазонах с изменением размеров и формы кристаллитов обеспечивают широкое применение титанатов стронция в электронике, гидроакустике, лазерной и ракетной технике и в других областях.

Разработка технологических принципов получения рассматриваемых материалов требует понимания взаимосвязи между технологическими параметрами их осаждения и характеристиками структурного состояния. Для расчета этих характеристик необходимо знание основного состояния атомов в элементарной ячейке (экспериментальные данные о параметрах кристаллической решетки и объеме элементарной ячейки). При работе в экстремальных условиях большое значение имеют сведения о тепловом расширении [в том числе значение линейного коэффициента теплового расширения (ЛКТР)] в интервале структурных фазовых переходов. Эти данные наиболее последовательно, особенно для низкотемпературных сегнетоэлектрических фаз, определяют по данным об изменении параметров кристаллической решетки (размере элементарной ячейки).