ГОСТ Р 56512-2015. Национальный стандарт Российской Федерации. Контроль неразрушающий. Магнитопорошковый метод. Типовые технологические процессы

Вид намагничивания

Способ намагничивания

Схема намагничивания и расположение выявляемых дефектов

Формулы для определения намагничивающего тока

Циркулярное (Ц)

Пропусканием тока по объекту (ЦО)

1 - продольные дефекты; 2 - радиальные дефекты; 3 - контактный диск; 4 - объект; 5 - проводник; I - электрический ток; D - диаметр объекта

I = 3HD,

где I - ток, А; H - тангенциальная составляющая напряженности магнитного поля, А/см; D - диаметр объекта, см

Пропусканием тока по центральному проводнику (ЦП)

1, 2, 3 - дефекты; 4 - объект, 5 - проводник; D - внешний диаметр объекта; I - ток

I = 3HD,

где I - ток, А; H - тангенциальная составляющая напряженности магнитного поля, А/см; D - внешний диаметр объекта, см

Пропусканием тока по участку объекта (ЦЭ)

1 - дефекты, 2 - объект, 3 - электроконтакты, 4 - зона контроля, L - длина контролируемого участка, см [рекомендуется (7 - 25) см], C - ширина зоны контроля, см (рекомендуется около 0,5L); I - ток, А

Приближенно силу переменного, постоянного и выпрямленного тока, пропускаемого по объекту с помощью электроконтактов, определяют по формуле:

I = (30...50)L.

При использовании импульсного тока его силу определяют по графику. С учетом требуемой напряженности магнитного поля ток определяют по формуле:

I = 1,7HL.

В формулах:

I - ток, А; L - расстояние между точками установки электроконтактов, см; H - тангенциальная составляющая напряженности магнитного поля, А/см. При контроле СОН определяется из справочников по магнитным свойствам сталей, при контроле СПП - по приложению К.

Наибольший ток должен составлять не более 1500 - 1800 А

С применением тороидальной обмотки (ЦТ)

1, 2, 4 - дефекты, 3 - обмотка, 5 - объект, 6 - средняя линия тороида, I - электрический ток, D и d - внешний и внутренний диаметры объекта

При D/d < 10I = Hl/n, при D/d > 10I = 3HD/n,

где I - ток, А; H - тангенциальная составляющая напряженности магнитного поля, А/см; l - длина средней линии тороида, I = 1,5(D + d), см; n - число витков обмотки

Индуцированием тока в объекте (ЦИ)

1 - объект контроля; 2 - электромагнит; 3 - обмотка. Стрелками показаны обнаруживаемые трещины

-

Полюсное (П)

Полюсное в соленоиде (ПС)

1 - соленоид; L, D - длина и диаметр соленоида, см

I = H/K_с,

где I - ток, А;

H - требуемая напряженность магнитного поля, А/см; K_с - постоянная соленоида.

Или

,

где L - длина соленоида или обмотки кабелем, см; N - число витков соленоида (обмотки); m - коэффициент, определяемый в зависимости от соотношений радиуса и длины соленоида (обмотки). Его значения приведены в 12.21

Намагничивание в электромагните постоянного тока (ПЭ)

1 - объект контроля; 2 - трещины; 3 - магнитопровод; 4 - обмотка; 5 - полюсные передвижные пластины; 6 - клеммы для подключения источника постоянного тока

-

Намагничивание в электромагните переменного тока (ПЭ)

1 - объект контроля; 2 - трещины; 3 - подвижные полюсы; 4 - магнитопровод; 5 - обмотка; 6 - клеммы для подключения источника переменного тока

-

Намагничивание переносным электромагнитом (ПЭ)

1 - объект контроля; 2 - полюсный наконечник; 3 - магнитопровод; 4 - катушки; 5 - трещины

-

Намагничивание устройством на постоянных магнитах (ПМ)

1 - объект контроля; 2 - трещины; 3 - магнитопровод; 4 - блоки на постоянных магнитах

-

Комбинированное (циркулярное и полюсное) (К - Ц, П)

Пропусканием токов по объекту и по обмотке соленоида (ЦО, ПС)

1 - объект; 2 - соленоид; 3, 4 - продольные и поперечные трещины; 5 - контактный диск; H_п, H_ц - составляющие вектора напряженности магнитного поля при полюсном и циркулярном намагничивании, I₁, I₂ - токи

-

Комбинированное (К)

Пропусканием тока по объекту и при помощи электромагнита (ЦО, ПЭ)

I₁, I₂ - ток; О - объект контроля; Ф - магнитный поток

-

Пропусканием тока по объекту и при помощи соленоида (ЦО, ПС)

I - ток; О - объект контроля; Ф - магнитный поток

-

Пропусканием по объекту двух токов во взаимно перпендикулярных направлениях (ЦО, ЦО)

I₁, I₂ - ток; О - объект контроля; Ф - магнитный поток

-

Индуцированием тока в объекте и пропусканием тока по проводнику, помещенному в сквозное отверстие в объекте (ЦИ, ЦП)

I - ток; О - объект контроля; Ф - магнитный поток

-