БИБЛИОТЕКА НОРМАТИВНЫХ ДОКУМЕНТОВ

ГОСТ Р 56427-2015. Национальный стандарт Российской Федерации. Пайка электронных модулей радиоэлектронных средств. Автоматизированный смешанный и поверхностный монтаж с применением бессвинцовой и традиционной технологий. Технические требования к выполнению технологических операций

9.4 Требование к пайке оплавлением

 

9.4.1 Требование к конвекционной пайке оплавлением

9.4.1.1 При автоматизированной пайке оплавлением следует руководствоваться требованиями ГОСТ Р МЭК 61192-1.

9.4.1.2 Требование к пайке оплавлением ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС с применением оловянно-свинцовых припоев

При пайке оплавлением ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС класса C по традиционной технологии (с применением оловянно-свинцовых припоев) должен использоваться профиль оплавления, указанный предприятием - производителем припойной пасты, при этом пиковая температура такого профиля в любом случае не должна превышать 225 °C.

При отсутствии информации о профиле оплавления применяемой оловянно-свинцовой припойной пасты должен использоваться профиль, приведенный на рисунке 4.

Для электронных модулей РЭС класса A и B при пайке оплавлением по традиционной технологии рекомендуется применять профиль, приведенный на рисунке 9.

 

ГОСТ Р 56427-2015. Национальный стандарт Российской Федерации. Пайка электронных модулей радиоэлектронных средств. Автоматизированный смешанный и поверхностный монтаж с применением бессвинцовой и традиционной технологий. Технические требования к выполнению технологических операций

 

Рисунок 9 - Рекомендованный профиль оплавления с применением

оловянно-свинцовых припоев при пайке аппаратуры РЭС класса C

 

В зависимости от конструкции электронных модулей РЭС класса C (платы-теплоотводы с медным или алюминиевым основанием, керамические платы с толстым слоем меди (100 - 400 мкм), платы с большим количеством теплоемких СВЧ-транзисторов и т.д.) допускается увеличивать по времени стадию предварительного нагрева до 180 с, при этом недопустимо превышать время (90 с) нахождения припоя в расплавленном состоянии.

Для электронных модулей РЭС класса A и B при пайке оплавлением по комбинированной технологии компонентов типа BGA рекомендуется применять профиль, указанный на рисунке 4.

9.4.1.3 Требование к пайке оплавлением ЭМ и ПУ с применением бессвинцовых припоев

При пайке оплавлением ЭМ, ПУ и изделий классов A и B по бессвинцовой технологии (с применением бессвинцовых припоев) должен использоваться профиль оплавления, указанный предприятием - производителем припойной пасты, при этом пиковая температура такого профиля в любом случае не должна превышать 245 °C.

При отсутствии информации о профиле оплавления применяемой бессвинцовой припойной пасты должен использоваться профиль, приведенный на рисунке 10.

 

ГОСТ Р 56427-2015. Национальный стандарт Российской Федерации. Пайка электронных модулей радиоэлектронных средств. Автоматизированный смешанный и поверхностный монтаж с применением бессвинцовой и традиционной технологий. Технические требования к выполнению технологических операций

 

Рисунок 10 - Рекомендуемый профиль оплавления при пайке ЭМ

и ПУ с применением бессвинцовых припоев

 

9.4.2 Требование к пайке в паровой фазе (конденсационная пайка)

9.4.2.1 При пайке в паровой фазе ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС класса C по традиционной технологии в оборудовании должна применяться жидкость с температурой кипения от 200 °C до 215 °C, причем время нахождения припоя в расплавленном состоянии должно составлять от 30 до 90 с.

9.4.2.2 При пайке в паровой фазе ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС класса A и B по традиционной технологии рекомендуется руководствоваться требованиями 9.4.2.1.

9.4.2.3 При пайке в паровой фазе ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС класса A и B по бессвинцовой технологии в оборудовании должна применяться жидкость с температурой кипения от 230 °C до 245 °C, причем время нахождения припоя в расплавленном состоянии должно составлять от 40 до 90 с.

9.4.2.4 Для электронных модулей РЭС класса A и B при пайке в паровой фазе по комбинированной технологии компонентов типа BGA должна применяться жидкость с температурой кипения от 200 °C до 215 °C, причем время нахождения припоя в расплавленном состоянии должно составлять от 30 до 90 с.

9.4.2.5 При одновременной двусторонней пайке в паровой фазе ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС тяжелые компоненты (реле, разъемы, трансформаторы, микросхемы и т.д.), расположенные с нижней части платы, должны быть приклеены.

9.4.2.6 При пайке в паровой фазе ЭМ, ПУ и аппаратуры РЭС класса C чувствительной к перегреву ЭКБ и/или проводится процесс ступенчатой пайки с применением низкотемпературных припоев, указанных в 5.2.1.1, в оборудовании должна применяться жидкость с температурой кипения от 150 °C до 160 °C, причем время нахождения припоя в расплавленном состоянии должно составлять от 30 до 60 с.

TOC